| 发明名称 | CMOS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种CMOS器件及其制造方法，所述CMOS器件，包括轻掺杂漏区域，所述轻掺杂漏区域中设置有一层掺杂层；所述掺杂层中掺杂的离子导电类型与轻掺杂漏区域中掺杂的离子导电类型相反。本发明所提供的CMOS器件及其制造方法中，在器件的轻掺杂漏区域中形成了一层掺杂层，且该掺杂层中掺杂的离子导电类型与轻掺杂漏区域中掺杂的离子导电类型相反，因此，当轻掺杂漏区注入剂量提高相应值时，所述掺杂层能够配合衬底加快轻掺杂区的耗尽速度，使其仍能达到全耗尽，这样既保证了该器件的击穿电压不变，又由于轻掺杂漏区浓度的提升，降低了器件的导通电阻，从而提高了器件的开态电流。 | ||
| 申请公布号 | CN102544092A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010593032.9 | 申请日期 | 2010.12.16 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 吴孝嘉;郭立;韩广涛;颜剑 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮;李辰 |
| 主权项 | 一种CMOS器件，包括轻掺杂漏区域，其特征在于：所述轻掺杂漏区域中设置有一层掺杂层；所述掺杂层中掺杂的离子导电类型与轻掺杂漏区域中掺杂的离子导电类型相反。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||