发明名称 | 一种消除群速度色散的慢光效应光子晶体波导结构 | ||
摘要 | 本发明公开了一种消除群速度色散的慢光效应光子晶体波导结构,包括纵向结构及横向结构,其中,纵向结构为一种空气桥多层结构,从顶层到底层依次为空气层/半导体材料层/空气层/衬底材料层;横向结构是一光子晶体波导,该光子晶体波导设计在纵向结构的半导体材料层上,包括正色散波导和负色散波导。本发明提供的这种消除群速度色散的慢光效应光子晶体波导结构,通过调整两个波导宽度及负色散中间缺陷孔半径来实现模式匹配及色散补偿,对接位置对波导损耗至关重要,既保证了慢光所需要的群时延,又保证了净色散尽量小,同时获得了高透过率。 | ||
申请公布号 | CN101887144B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
申请号 | CN200910084035.7 | 申请日期 | 2009.05.13 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 张冶金;郑婉华;邢名欣;周文君;陈微;刘安金 |
分类号 | G02B6/122(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/122(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 一种消除群速度色散的慢光效应光子晶体波导结构,其特征在于,包括纵向结构及横向结构,其中,纵向结构为一种空气桥多层结构,从顶层到底层依次为空气层/半导体材料层/空气层/衬底材料层;横向结构是一光子晶体波导,该光子晶体波导设计在纵向结构的半导体材料层上,包括正色散波导和负色散波导;其中,所述横向结构中正色散波导和负色散波导的三角晶格周期均为P,孔半径均为R,其中三角晶格周期P取380~420纳米,孔半径R取0.31P;所述纵向结构的半导体材料层采用硅或磷化铟,该层厚度取250~300纳米;所述正色散波导和负色散波导直接对接时,错开尺寸为晶格孔半径。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |