发明名称 |
半导体激光装置 |
摘要 |
本发明提供一种半导体激光装置,可降低偏振方向的角度偏离,其包括:激光器阵列,其具有:具有脊型波导且发出第一波长的光的第一层叠体、夹着沟与其分离且发出比上述第一波长长的第二波长的光的第二层叠体、以及设置在上述第一和第二层叠体上的包含金膜的第一和第二电极;底座,其具有:绝缘体、以及具有在其上分别设置的基底金属膜和厚度在0.05~0.3μm的范围内的金膜的第一和第二导电层;把上述第一电极与上述第一导电层接合且比上述第一导电层的上述金膜厚的第一合金焊料层;以及把上述第二电极与上述第二导电层接合且比上述第二导电层的上述金膜厚的第二合金焊料层,上述脊型波导的靠近上述沟的一侧的侧面倾角比远离上述沟的一侧的侧面倾角平缓。 |
申请公布号 |
CN102005700B |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201010129717.8 |
申请日期 |
2010.03.08 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
玄永康一;田中宏和;弓削省三;河本聪;盐泽秀夫 |
分类号 |
H01S5/40(2006.01)I;H01S5/022(2006.01)I;H01S5/02(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/40(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
一种半导体激光装置,其特征在于包括:激光器阵列,该激光器阵列具有:半导体衬底、设置在上述半导体衬底上的具有脊型波导且发出第一波长的光的第一层叠体、夹着沟与上述第一层叠体分离地设置在上述半导体衬底上的发出比上述第一波长长的第二波长的光的第二层叠体、设置在上述第一层叠体上的包含金膜的第一电极、以及设置在上述第二层叠体上的包含金膜的第二电极;底座,该底座具有:绝缘体、具有设置在上述绝缘体上的第一基底金属膜和设置在上述第一基底金属膜上的厚度在0.05~0.3μm的范围内的第一金膜的第一导电层、以及具有设置在上述绝缘体上的第二基底金属膜和设置在上述第二基底金属膜上的厚度在0.05~0.3μm的范围内的第二金膜的第二导电层;把上述第一电极与上述第一导电层接合且比上述第一导电层的上述第一金膜厚的第一合金焊料层;以及把上述第二电极与上述第二导电层接合且比上述第二导电层的上述第二金膜厚的第二合金焊料层;上述脊型波导的靠近上述沟的一侧的侧面的倾角比远离上述沟的一侧的侧面的倾角平缓。 |
地址 |
日本东京都 |