发明名称 曝光方法
摘要 本发明提供了一种曝光方法,其包括以下步骤:对光刻版进行曝光,将其上的测试图形曝光后投影到圆片上;调整曝光镜头相对所述光刻版上的x方向移动第一步进距离或相对所述光刻版y方向移动第二步进距离;曝光,并投影缩放到圆片上;其中,所述第一步进距离大于或等于所述测试图形x方向尺寸,且小于所述光刻版x方向尺寸;所述第二步进距离大于或等于所述测试图形y方向尺寸且小于所述光刻版y方向尺寸。与现有技术相比,本发明的有益效果是:减少圆片翘曲对测试点影响,提高测试结果的准确性,同时,还可使用普通圆片进行光刻机像面弯曲度检测,减少或取消了双面抛光片的使用,成本较低。
申请公布号 CN102540742A 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN201010605310.8 申请日期 2010.12.27
申请人 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 发明人 黄玮
分类号 G03F7/20(2006.01)I;G03F1/44(2012.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种曝光方法,包括以下步骤:对光刻版进行曝光,将其上的测试图形曝光后投影到圆片上;调整曝光镜头相对所述光刻版上的x方向移动第一步进距离或相对所述光刻版y方向移动第二步进距离;曝光,并投影缩放到圆片上;其中,所述第一步进距离大于或等于所述测试图形x方向尺寸,且小于所述光刻版x方向尺寸;所述第二步进距离大于或等于所述测试图形y方向尺寸且小于所述光刻版y方向尺寸。
地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号