发明名称 |
衬底、衬底检测方法以及制造元件和衬底的方法 |
摘要 |
本发明提供一种衬底检测方法,通过确定多个层的质量来检测全部多个衬底,每一衬底在其表面上设有多个层,以及提供了使用该衬底检测方法来制造衬底和元件的方法。该衬底检测方法包括制备在其主表面设有多个层的衬底的步骤,膜形成步骤,局部刻蚀步骤和检测步骤或成分分析步骤。在步骤中,通过去除外延层的至少部分从而在衬底主表面的设有外延层的区域中形成凹陷。在该检测步骤中,对凹陷中暴露的层进行检测。 |
申请公布号 |
CN101083220B |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN200710108828.9 |
申请日期 |
2007.05.31 |
申请人 |
住友电气工业株式会社 |
发明人 |
中村孝夫;上田登志雄;京野孝史 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;G01N21/95(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
孙志湧;陆锦华 |
主权项 |
一种衬底检测方法,包括步骤:制备在其主表面设有多个层的衬底;通过在设有所述多个层的区域中去除所述多个层的至少部分,在所述衬底的主表面上形成开口;以及对所述开口中暴露的所述层进行检测,其中,在所述形成步骤中,从最外层至少部分地刻蚀掉所述多个层直至一预定深度,并且同时地对于已经被刻蚀掉的所述多个层进行成分分析,其中,在形成开口的步骤中,通过等离子刻蚀或使用辉光放电的刻蚀来进行刻蚀处理,其中,在与刻蚀处理同时进行的成分分析处理中,当在刻蚀处理中执行等离子刻蚀时,对等离子体进行光发射分析,当在刻蚀处理中执行使用辉光放电的刻蚀时,测量由辉光放电引起的发射的光的波长和强度,并且,其中,在与刻蚀处理同时进行的成分分析处理中,对所述多个层进行成分分析的步骤包括沿深度方向的成分分布测量。 |
地址 |
日本大阪府 |