发明名称 将数据写入半导体存储器中的方法以及存储器控制器
摘要 一种将数据写入半导体存储器(11)中的方法,在所述半导体存储器(11)中非易失性存储器基元(MC)被串联连接,每一个所述非易失性存储器基元(MC)都具有连接到字线(WL)的栅极,所述方法包括以下步骤:根据数据将被写入其中的存储器基元(MC)的字线地址,为所述数据选择编码方法(S13);对所述数据编码(S14);以及根据所述字线地址将编码后的数据写入所述存储器基元(MC)中(S15)。使用所选择的编码方法对所述数据编码。
申请公布号 CN101611386B 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN200880005146.8 申请日期 2008.02.13
申请人 株式会社东芝 发明人 高田知二
分类号 G06F12/16(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I 主分类号 G06F12/16(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 杨晓光;于静
主权项 一种将数据写入非易失性半导体存储器中的方法,在所述非易失性半导体存储器中存储器基元被串联连接,每个所述存储器基元都具有连接到字线的栅极,所述方法包括以下步骤:根据数据将被写入其中的存储器基元的字线地址,为所述数据选择编码方法;使用所选择的编码方法对所述数据编码;以及根据所述字线地址将编码后的数据写入所述存储器基元中,其中以彼此邻近的多个字线为单位对所述字线分组,允许在连接到属于相同组的字线的存储器基元之间复制所述数据,其中,在为所述数据选择编码方法中,为属于不同组的所述字线选择不同的编码方法。
地址 日本东京都