| 发明名称 | 功率半导体器件的场环终端及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种功率半导体器件的场环终端及其制作方法，所述功率半导体器件包括第一导电类型的第一半导体层，第一半导体层具有含有掺杂第二导电类型的阱区的有源区，所述场环终端位于第一半导体层中且与有源区邻接，其中，所述场环终端具有掺杂有第二导电类型的若干场环，且场环的结深随距有源区的距离增大而增加。由于本发明的场环终端结构中的离有源区的距离远的场环的结深比距有源区的距离近的场环结深更深，耗尽层被更加有效的拉到第一半导体层的深处，电场分布的均匀度会更好，而且，结弯曲处远离表面，所以，可以减缓表面电荷的影响、承受更高的击穿电压并且耐压不容易退化、可靠性更好。 | ||
| 申请公布号 | CN102005467B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN200910189803.5 | 申请日期 | 2009.08.31 |
| 申请人 | 比亚迪股份有限公司 | 发明人 | 肖秀光;孙超 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种功率半导体器件的场环终端，所述功率半导体器件包括第一导电类型的第一半导体层，第一半导体层具有含有掺杂第二导电类型的阱区的有源区，所述场环终端位于第一半导体层中且与有源区邻接，其特征在于，所述场环终端具有掺杂有第二导电类型的若干场环，且场环的结深随距有源区的距离增大而增加。 | ||
| 地址 | 518118 广东省深圳市龙岗区坪山镇横坪公路3001号 | ||