具有低注入二极管的MOS器件

摘要

本发明涉及具有低注入二极管的MOS器件。提供一种形成在半导体衬底上的半导体器件，其包括：漏极；覆盖所述漏极的外延层；以及有源区。所述有源区包括：本体，所述本体置于所述外延层中，并具有本体顶表面；源极，所述源极嵌入在所述本体中，并从所述本体顶表面延伸至所述本体中；栅极沟槽，所述栅极沟槽延伸至所述外延层中；栅极，所述栅极置于所述栅极沟槽中；有源区接触沟槽，所述有源区接触沟槽延伸通过所述源极且延伸至所述本体中；有源区接触电极，所述有源区接触电极置于所述有源区接触沟槽内；其中本体区的薄层将所述有源区接触电极与所述漏极分开。

主权项

一种形成在半导体衬底上的半导体器件，包括：漏极；覆盖所述漏极的外延层；以及有源区，包括：本体，所述本体置于所述外延层中，并具有本体顶表面；源极，所述源极嵌入在所述本体中，并从所述本体顶表面延伸至所述本体中；栅极沟槽，所述栅极沟槽延伸至所述外延层中；栅极，所述栅极置于所述栅极沟槽中；有源区接触沟槽，所述有源区接触沟槽延伸通过所述源极并延伸到所述本体中；有源区接触电极，所述有源区接触电极置于所述有源区接触沟槽内；其中本体区的薄层将所述有源区接触电极与所述漏极分开，并且所述本体区的薄层的厚度和掺杂水平被调整从而使得在反向偏压中将此薄体层耗尽，而在正向偏压中，体层不会耗尽。