具有低导通电阻的MOS器件的几何图形

摘要

本发明公开了一种在衬底上形成的金属氧化物半导体(MOS)器件以及一种用于形成该MOS器件的方法。MOS器件包括：漏极区；围绕漏极区的栅极区；源极区，这些源极区被布置在栅极区周围并且与漏极区相对；以及体区，这些体区被布置在栅极区周围并且分隔源极区。栅极区被形成为环绕在漏极区的周围。以此方式，降低了MOS器件的导通电阻(Ron)，而不增加MOS器件的面积。

主权项

一种在衬底上形成的金属氧化物半导体(MOS)器件，包括：漏极区；栅极区，所述栅极区围绕所述漏极区，并且被形成为环绕在所述漏极区周围；多个源极区，所述多个源极区被布置在所述栅极区周围并且与所述漏极区相对；以及多个体区，所述多个体区被布置在所述栅极区周围并且分隔所述源极区，其中所述多个源极区被布置在所述栅极区的每一侧上，布置方式使得所述漏极区的每一侧与具有相等或更大宽度的源极区对准。