发明名称 一种非易失性存储器数据的读写控制方法及系统
摘要 本发明适用于数据存储技术领域,提供了一种非易失性存储器数据的读写控制方法及系统,所述方法包括下述步骤:对非易失性存储器内的有效块进行区域划分,所述区域包括至少一个包含固定数量有效块的数据区域和一个包含至少两个有效块的交换区域;建立每个区域的逻辑块和物理块的对应关系表和生成块的逻辑页和物理页的对应关系表,将所述逻辑块和物理块的对应关系表及块的逻辑页和物理页的对应关系表存储到私有数据区;在所述数据区域块内的空闲页顺序写入数据块,或从所述数据区域内的有效页读取数据块,在有限的内存空间下,提高NAND Flash数据的读写速度和效率。
申请公布号 CN101727402B 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN200910110589.X 申请日期 2009.10.23
申请人 深圳市江波龙电子有限公司 发明人 李志雄;邓恩华;郭丹
分类号 G06F12/06(2006.01)I 主分类号 G06F12/06(2006.01)I
代理机构 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人 张全文
主权项 一种非易失性存储器数据的读写控制方法,其特征在于,所述方法包括下述步骤:对非易失性存储器内的有效块进行区域划分,其中,有效块的个数由非易失性存储器的控制器的内存空间确定,所述区域包括至少一个包含固定数量有效块的数据区域和一个包含至少两个有效块的交换区域;建立每个区域的逻辑块和物理块的对应关系表;根据块内页的冗余区信息生成所述块的逻辑页和物理页的对应关系表,将所述逻辑块和物理块的对应关系表及块的逻辑页和物理页的对应关系表存储到私有数据区;在所述数据区域块内的空闲页顺序写入数据块,或从所述数据区域内的有效页读取数据块;在所述数据区域的第N块写入新数据块时,当所述第N块已写满时,则在所述交换区域申请一个空块,将所述新数据块暂时存储在所述交换区域的所述空块上,其中,N为大于等于1的整数。
地址 518000 广东省深圳市南山区科发路8号金融服务技术创新基地1栋8楼A、B、C、D、E、F1