| 发明名称 | 一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺，其中所述SOI包括由下至上生长的底层硅膜、埋氧层、顶层硅膜；所述导电层生长于底层硅膜和埋氧层之间；所述导电层包括电荷引导层和阻挡层，所述阻挡层生长于所述电荷引导层的上、下表面。本发明可以将器件内部产生的热量通过导电层迅速排至外部，有效减小SOI的自热效应；而且使非绝缘性的衬底效果和完全绝缘的衬底一样；此外其可以释放界面积聚的多余电荷，缓解纵向电场对器件内部电荷分布的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101916761B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010231684.8 | 申请日期 | 2010.07.20 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明人 | 程新红;何大伟;王中健;徐大伟;宋朝瑞;俞跃辉 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 王松 |
| 主权项 | 一种SOI埋氧层下的导电层，其特征在于：所述SOI包括由下至上生长的底层硅膜、埋氧层、顶层硅膜；所述导电层生长于底层硅膜和埋氧层之间；所述导电层包括电荷引导层和阻挡层，所述阻挡层生长于所述电荷引导层的上、下表面。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||