平面相变存储器的制备方法

摘要

一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层、相变材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，形成侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料；在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；在金属层上制备一层绝缘材料层；抛光表面直至磨到电热绝缘层上的金属表面，从而割断金属层形成中间夹有相变材料层的nano-gap电极；最后在nano-gap电极上淀积一层绝缘材料层，再在nano-gap电极两边的金属上开孔并引出电极，即形成平面相变存储器。

主权项

一种平面相变存储器的制备方法，该方法包括：步骤1：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层、相变材料层和基底材料层；步骤2：用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；步骤3：在该相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；步骤4：采用干法回刻，去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，在基底材料层的侧面将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；步骤5：用湿法腐蚀的方法去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；步骤6：采用干法刻蚀的方法去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料层，从而形成由侧墙和相变材料层构成的叠层侧墙；步骤7：采用光刻+薄膜淀积+剥离工艺在该叠层侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；步骤8：再用薄膜淀积工艺在金属层上制备一层第一绝缘材料层，将叠层侧墙和金属层包裹在其中；步骤9：再用化学机械抛光的方法抛光表面直至磨到电热绝缘层上的金属层表面，从而割断金属层形成中间夹有相变材料层的nano‑gap电极；步骤10：最后在nano‑gap电极上淀积一层第二绝缘材料层，再在nano‑gap电极两边的金属层上开孔并引出电极，即形成平面相变存储器。