在RIE方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法

摘要

本发明涉及一种在RIE方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法，其特征在于包括以下步骤：首先，通过椭偏仪测试使用常规酸或碱制绒方式加工的硅片表面氮化硅膜，获取氮化硅膜的折射率n。之后，通过反射率测试仪器测定入射光在硅片表面反射率最低点处的波长λ。最后，将上述步骤获取的数据代入通式d＝λ/(4×n)中，得到氮化硅膜厚度d的具体数值。由此，可以对RIE方式制绒表面上生长的氮化硅进行准确的测试跟监控。更为重要的是，本发明采用的方法原理简单，容易掌握，易于在实际生产过程中推广应用，解决了RIE项目推进过程中的一个难题。

主权项

在RIE方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤①，通过椭偏仪测试使用常规酸或碱制绒方式加工的硅片表面氮化硅膜，获取氮化硅膜的折射率n；步骤②，通过反射率测试仪器测定入射光在硅片表面反射率最低点处的波长λ；步骤③，将上述步骤获取的数据代入通式d＝λ/(4*n)中，得到氮化硅膜厚度d的具体数值。