半导体元件的制备方法

摘要

本发明关于一种半导体元件的制备方法，其包括步骤：步骤一：应用传统的工艺流程制备多晶硅栅极并沉积适当厚度的层间介质层(ILD，Interlayer Dielectric)；该多晶硅栅极具有位于下层的浮栅(FG，Floating Gate)、中间层的氧化物-氮化物-氧化物(ONO)及位于上层的控制栅(CG，Control Gate)；步骤二：利用化学机械抛光将层间介质层ILD磨平并停止在CG多晶硅表面；步骤三：使用对OXIDE选择比很高的湿法刻蚀方法将CG多晶硅完全去除；步骤四：在除去了CG多晶硅的晶圆上沉积填充能力(gap fill)较好的金属层；步骤五：利用CMP工艺将沉积的金属层磨平并停留在层间介质层表面。本发明半导体元件的制备方法通过金属层置换CG多晶硅，降低了内阻，稳定耗尽效应改善了半导体元件的可靠性能。

主权项

一种半导体元件的制备方法，其特征在于：其包括步骤：步骤一：制备多晶硅栅极并沉积适当厚度的层间介质层(ILD，Interlayer Dielectric)；该多晶硅栅极包括位于下层的浮栅(FG，Floating Gate)、中间层的氧化物‑氮化物‑氧化物(ONO)及位于上层的控制栅(CG，Control Gate)；步骤二：利用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)将层间介质层磨平并停止在控制栅多晶硅表面；步骤三：将控制栅的多晶硅通过刻蚀的方法去除；步骤四：在除去了控制栅多晶硅的晶圆上沉积金属层。