| 发明名称 | 一种制备GaSb基分布反馈激光器中光栅的系统及方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备GaSb基分布反馈激光器中光栅的系统及方法，该系统包括：一全息曝光系统，用于材料表面光刻胶光栅的制备；一反应离子刻蚀设备，用于实现光刻胶光栅到GaSb材料系中的光栅转移。本发明提供的这种制备GaSb基DFB激光器中光栅的ICP刻蚀系统及方法，通过调节刻蚀用气体种类与流量、ICP功率、偏压功率与腔室气压，并结合实验结果对ICP刻蚀过程进行调整与优化，实现了光刻胶光栅在GaSb材料系中的良好转移。 | ||
| 申请公布号 | CN102545044A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201210037646.8 | 申请日期 | 2012.02.17 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王永宾;张晶;徐云;宋国锋;陈良惠 |
| 分类号 | H01S5/12(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种制备GaSb基分布反馈激光器中光栅的系统，其特征在于，包括：一全息曝光系统，用于材料表面光刻胶光栅的制备；一反应离子刻蚀设备，用于实现光刻胶光栅到GaSb材料系中的光栅转移。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||