发明名称 凸块结构及其制作方法
摘要 本发明提出一种凸块结构及其制作方法,可改善底切效应且具有较佳的接合可靠度。该制作方法包括:提供一基板。基板具有至少一焊垫与一保护层。保护层具有至少一第一开口以将焊垫暴露。在保护层上形成一绝缘层。绝缘层具有至少一第二开口,且第二开口位于第一开口上方。于绝缘层上形成一金属层。金属层透过第一开口以及第二开口与焊垫电性连接。于第一开口以及第二开口内形成一第一凸块。于第一凸块与部分金属层上形成一第二凸块。以第二凸块为掩模,移除部分未被第二凸块所覆盖的金属层以形成至少一球底金属层。第一凸块被球底金属层以及第二凸块完全包覆。
申请公布号 CN102543895A 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN201110043248.2 申请日期 2011.02.15
申请人 南茂科技股份有限公司 发明人 齐中邦
分类号 H01L23/00(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I 主分类号 H01L23/00(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 骆希聪
主权项 一种凸块结构的制作方法,包括:提供一基板,该基板具有至少一焊垫与一保护层,其中该保护层具有至少一第一开口以将该焊垫暴露;在该保护层上形成一绝缘层,其中该绝缘层具有至少一第二开口,且该第二开口位于该第一开口上方;于该绝缘层上形成一金属层,其中该金属层透过该第一开口以及该第二开口与该焊垫电性连接;于该第一开口以及该第二开口内形成一第一凸块;于该第一凸块与部分该金属层上形成一第二凸块;以及以该第二凸块为掩模,移除部分未被该第二凸块所覆盖的该金属层以形成至少一球底金属层,其中该第一凸块被该球底金属层以及该第二凸块完全包覆。
地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号