| 发明名称 | 多晶硅的制程方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种多晶硅的制程方法，其包括如下步骤：先将多晶硅表面进行氮氧化硅淀积，使多晶硅表面覆盖有氮氧化硅；然后，对所述多晶硅进行光刻；再将光刻后的多晶硅进行刻蚀；随后，将刻蚀后的多晶硅依次经过磷酸溶剂和硫酸双氧水混合溶剂；最后，对所述多晶硅进行退火氧化处理。相较于现有技术，本发明所述的多晶硅的制程方法的有益效果是：将所述多晶硅经过磷酸溶剂后再经过硫酸双氧水混合溶剂，使得残留在多晶硅表面的磷元素被硫酸双氧水混合溶剂除去，防止磷元素残留在多晶硅表面而形成结晶。 | ||
| 申请公布号 | CN102543666A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010578089.1 | 申请日期 | 2010.12.08 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 李健;杨兆宇;赵志勇;张明敏;李丽丽 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种多晶硅的制程方法，其包括如下步骤：先将多晶硅表面进行氮氧化硅淀积，使多晶硅表面覆盖有氮氧化硅；然后，对所述多晶硅进行光刻；再将光刻后的多晶硅进行刻蚀；随后，将刻蚀后的多晶硅依次经过磷酸溶剂和硫酸双氧水混合溶剂；最后，对所述多晶硅进行退火氧化处理。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||