发明名称 |
一种光刻方法 |
摘要 |
本发明提供的一种光刻方法,包括:提供测试晶圆;使用设计掩模版对所述测试晶圆进行光刻工艺,在测试晶圆表面形成光刻胶图形;检测所述光刻胶图形,查找发生图形坍塌的区域;根据所述光刻胶图形的坍塌区域,制作修正掩模版,所述修正掩模版具有开口,所述开口与所述图形坍塌区域相对应;提供产品晶圆;分别使用所述修正掩模版以及设计掩模版对产品晶圆进行曝光,在产品晶圆表面形成光刻胶图形。本发明通过对已发生图形坍塌的光刻胶区域进行二次曝光,使得该区域光刻胶的图形失效,从而避免了光刻胶缺陷的扩散。 |
申请公布号 |
CN102540749A |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201010612960.5 |
申请日期 |
2010.12.29 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
单朝杰;胡华勇 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种光刻方法,其特征在于,包括:提供测试晶圆;使用设计掩模版对所述测试晶圆进行光刻工艺,在测试晶圆表面形成光刻胶图形;检测所述光刻胶图形,查找发生图形坍塌的区域;根据所述光刻胶图形的坍塌区域,制作修正掩模版,所述修正掩模版具有开口,所述开口与所述图形坍塌区域相对应;提供产品晶圆;分别使用所述修正掩模版以及设计掩模版对产品晶圆进行曝光,在产品晶圆表面形成光刻胶图形。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |