| 发明名称 | 制作电擦除可编程存储器中的隧道氧化层窗口的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作电擦除可编程存储器EEPROM中的隧道氧化层窗口的方法，该方法包括：在EEPROM浮栅的栅氧化层上依次沉积以亲水性聚合物为材料的过渡层及涂覆光刻胶层；图案化光刻胶层，得到具有隧道氧化层窗口图形的光刻胶层；以所述具有隧道氧化层窗口的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀过渡层和所述浮栅的栅氧化层，在所述浮栅的栅氧化层上形成隧道氧化层窗口；去除剩余的光刻胶层及具有隧道氧化层窗口图形的过渡层。采用本发明提供的方法，保证所制作的隧道氧化层窗口的边界平整。 | ||
| 申请公布号 | CN102543697A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010601888.6 | 申请日期 | 2010.12.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王刚宁;彭坤;陈宗高;赵连国;赵晓燕 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种制作电擦除可编程存储器EEPROM中的隧道氧化层窗口的方法，其特征在于，该方法包括：在EEPROM浮栅的栅氧化层上依次沉积以亲水性聚合物为材料的过渡层及涂覆光刻胶层；图案化光刻胶层，得到具有隧道氧化层窗口图形的光刻胶层；以所述具有隧道氧化层窗口图形的光刻胶层为掩膜，采用湿法刻蚀方式依次刻蚀过渡层和所述浮栅的栅氧化层，在所述浮栅的栅氧化层上形成隧道氧化层窗口；去除剩余的光刻胶层及过渡层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||