| 发明名称 | 抗蚀图改善材料、抗蚀图形成方法和半导体装置制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及抗蚀图改善材料、抗蚀图形成方法和半导体装置制造方法。本发明提供一种抗蚀图改善材料，所述材料包含：由以下通式(1)表示的化合物、或由以下通式(2)表示的化合物、或上述两种化合物；和水，在通式(1)中，r1和r2各自独立地为氢原子或c1～c3烷基；m是1～3的整数；n是3～30的整数；在通式(2)中，p是8～20的整数；q是3～30的整数；r是1～8的整数。<img file="dda0000099392730000011.GIF" wi="749" he="323" />通式(1)<img file="dda0000099392730000012.GIF" wi="993" he="184" />通式(2) | ||
| 申请公布号 | CN102540710A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201110314398.2 | 申请日期 | 2011.10.17 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 小泽美和;野崎耕司 |
| 分类号 | G03F7/004(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/004(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;庞东成 |
| 主权项 | 1.一种抗蚀图改善材料，所述抗蚀图改善材料包含：由以下通式(1)表示的化合物、或由以下通式(2)表示的化合物、或上述两种化合物；和水<img file="FDA0000099392700000011.GIF" wi="751" he="322" />通式(1)其中，R1和R2各自独立地为氢原子或C1～C3烷基；m是1～3的整数；n是3～30的整数，<img file="FDA0000099392700000012.GIF" wi="993" he="183" />通式(2)其中，p是8～20的整数；q是3～30的整数；r是1～8的整数。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||