发光二极管芯片结构及其制造方法

摘要

一种发光二极管芯片结构及其制造方法，发光二极管芯片结构包括导电基板、半导体堆栈层以及图案化种晶层。导电基板具有一表面，此表面具有第一区及第二区，其中第一区与第二区交替分布于此表面。半导体堆栈层配置于导电基板上，且导电基板的表面朝向半导体堆栈层。图案化种晶层配置于导电基板的表面的第一区上，且位于导电基板与半导体堆栈层之间。图案化种晶层将第一区与半导体堆栈层分隔，且暴露出第二区。半导体堆栈层覆盖图案化种晶层与第二区，且经由第二区与导电基板电性连接。

主权项

一种发光二极管芯片结构，包括：一导电基板，具有一表面，其中该表面具有一第一区及一第二区，该第一区与该第二区交替分布于该表面；一半导体堆栈层，配置于该导电基板上，且该导电基板的该表面朝向该半导体堆栈层；以及一图案化种晶层，配置于该导电基板的该表面的该第一区上，且位于该导电基板与该半导体堆栈层之间，其中该图案化种晶层将该第一区与该半导体堆栈层分隔，且暴露出该第二区，该半导体堆栈层覆盖该图案化种晶层与该第二区，且经由该第二区与该导电基板电性连接。