带有绝缘埋层的图像传感器及其制备方法

摘要

本发明提供一种带有绝缘埋层的图像传感器及其制备方法，该制备方法提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，在第二半导体衬底上表面定义第I区域和第II区域，并在第I区域开窗口，对准键合第一半导体衬底的上表面及第二半导体衬底的上表面，而后减薄第二半导体衬底形成薄膜层和厚膜层，分别在薄膜层和厚膜层完成像素读出电路和光学传感器件的制备，并形成相邻器件间的隔离结构以完成带有绝缘埋层的图像传感器的制备，使其具有良好的半导体质量和表面质量、较高的光吸收效率、及高速、低功耗、抗闩锁的优良性能。

主权项

一种带有绝缘埋层的图像传感器的制备方法，其特征在于，该制备方法至少包括以下步骤：1)提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，所述第一半导体衬底包括：第一支撑衬底、位于所述第一支撑衬底表面上的第一绝缘埋层、以及位于所述第一绝缘埋层表面上的第一顶层半导体层；2)在所述第二半导体衬底上表面定义出第I区域和第II区域，并在所述第I区域开窗口；3)将所述开窗口的第二半导体衬底上表面对准所述第一半导体衬底的第一顶层半导体层上表面，键合所述第一半导体衬底及第二半导体衬底；4)将所述第二半导体衬底减薄，直至经由所述第二半导体衬底的第I区域开设的窗口暴露出所述第一顶层半导体层表面，以使减薄后的第二半导体衬底与所述第一顶层半导体层形成厚膜层，位于所述窗口底部的所述第一顶层半导体层为薄膜层；5)光学传感器件制备在所述厚膜层中，像素读出电路制备在所述薄膜层中，并形成相邻器件间的隔离结构，以完成带有绝缘埋层的图像传感器的制备。