| 发明名称 | 多晶硅栅表面的清洗方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅栅表面的清洗方法，其应用于在多晶硅栅表面沉积硅化钨层之前。现有的清洗方法不能去掉多晶硅栅表面的偏磷酸晶体，影响器件的良率。本发明的清洗方法：采用氟化氢清洗多晶硅栅表面；采用硫酸与双氧水的混合物清洗多晶硅栅表面。采用本发明提供的清洗方法可以有效清除形成于多晶硅栅表面上的自然氧化层和偏磷酸晶体，有效提高了多晶硅栅与硅化钨的粘附性能，减少两者界面上的缺陷，提高产品的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN101252083B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN200810035118.2 | 申请日期 | 2008.03.25 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 孙震海;韩瑞津;汤志伟;郭国超 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 一种多晶硅栅表面的清洗方法，其应用于在多晶硅栅表面沉积硅化钨层之前，其特征在于，所述清洗方法包括：采用氟化氢清洗多晶硅栅表面；采用硫酸与双氧水的混合物清洗多晶硅栅表面；所述采用氟化氢清洗多晶硅栅表面的步骤是：首先将含有水汽的氮气和氟化氢输入反应腔内；氟化氢与多晶硅栅表面的自然氧化层发生反应以将其蚀刻掉；所述氮气和氟化氢的比例是58∶1。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号 | ||