单元和半导体器件

摘要

本发明公开了一种单元，该单元包括多个扩散区对，每个扩散区对由作为晶体管的组成部分的第一掺杂扩散区、以及第二掺杂扩散区构成，使得第一掺杂扩散区和第二掺杂扩散区在栅极长度方向上并排设置，并且在两者之间插入有器件隔离区。在每个扩散区对中，第一掺杂扩散区和第二掺杂扩散区在栅极宽度方向上具有相同的长度，并且被设置在栅极宽度方向上的相同位置处；作为器件隔离区在第一掺杂扩散区和第二掺杂扩散区之间的部分的第一隔离区部分具有恒定的间隔长度。在所述扩散区对中，第一隔离区部分具有相同的间隔长度。

主权项

一种半导体器件中的单元，包括第一扩散区对，所述第一扩散区对由第一掺杂扩散区以及第二掺杂扩散区形成，使得第一掺杂扩散区和第二掺杂扩散区在栅极长度方向上并排设置，并且在两者之间插入有第一器件隔离区，其中，在所述第一扩散区对中，第一掺杂扩散区形成第一晶体管的一部分；第二掺杂扩散区形成第二晶体管的一部分；第一晶体管带有第三掺杂扩散区；第一晶体管的栅极宽度和第二晶体管的栅极宽度不同；第一掺杂扩散区的远离所述第一晶体管的栅极侧的边缘和第二掺杂扩散区的远离所述第二晶体管的栅极侧的边缘互相并排设置，在栅极宽度方向上的长度相同；以及第一掺杂扩散区的远离所述第一晶体管的栅极侧的边缘和第三掺杂扩散区的远离所述第一晶体管的栅极侧的边缘在栅极宽度方向上的长度不同，进一步包括第二扩散区对，所述第二扩散区对由第四掺杂扩散区以及第五掺杂扩散区形成，使得第四掺杂扩散区和第五掺杂扩散区在栅极长度方向上并排设置，并且在两者之间插入有第二器件隔离区，其中，在所述第二扩散区对中，第四掺杂扩散区形成第二晶体管的一部分；以及第五掺杂扩散区形成第三晶体管的一部分，作为器件隔离区在第一掺杂扩散区和第二掺杂扩散区之间的部分的第一隔离区部分在栅极长度方向上的间隔长度(Lsp1)和作为器件隔离区在第四掺杂扩散区和第五掺杂扩散区之间的部分的第二隔离区部分在栅极长度方向上的间隔长度(Lsp2)相等。