同一器件上的不同种类的晶体管上的选择性间隔体形成

摘要

一种在第一类晶体管上选择性地形成间隔体的方法以及通过这种方法形成的器件。该方法可以包括：在其上设有不同种类的晶体管的衬底上沉积保形的第一沉积层；向至少一类晶体管沉积阻挡层；对第一沉积层进行干法蚀刻；去除阻挡层；在衬底上沉积保形的第二沉积层；对第二沉积层进行干法蚀刻以及对剩余的第一沉积层进行湿法蚀刻。器件可以包括这样的第一类晶体管，其间隔体比第二类晶体管的间隔体更大。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上的第一类晶体管的栅极结构上选择性地形成第一间隔体，其中所述第一类晶体管与第二类晶体管的栅极结构形成于同一衬底上，该第二类晶体管不同于所述第一类晶体管；在所述第一间隔体上和所述第二类晶体管的所述栅极结构上形成第二间隔体，每一栅极结构包括相对的侧表面和与所述衬底的表面相对的顶表面，所述第一间隔体形成在所述第一类晶体管的所述栅极结构的相对的侧表面上；以及形成与所述第二类晶体管的栅极结构相邻、而不与所述第一类晶体管的栅极结构相邻的第三间隔体。