一种半导体存储器结构及其制造方法

摘要

本发明属于非挥发性半导体存储器技术领域，具体公开了一种半导体存储器结构。该半导体存储器结构包括至少一个半导体衬底，一个用于存储信息的存储单元和一个隧穿晶体管结构，所述隧穿晶体管用于对所述半导体存储器进行比如擦写操作和读操作的控制。本发明还公开了一种使用自对准工艺来制造所述半导体存储器结构的方法，而且，在制作隧穿晶体管的栅极掩膜版时，只需在字线终端做字线的接触点，该制造方法简化了半导体存储器的制造工艺，并使制程更加稳定，非常适用于存储器芯片的制造。

主权项

一种半导体存储器结构，其特征在于，该结构包括至少一个用于存储信息的半导体存储器单元和一个用于对半导体存储器进行控制的隧穿晶体管结构，所述的半导体存储器单元由相变材料构成或者由阻变材料构成；该存储器单元与所述隧穿晶体管的源极或者漏极相连，所述隧穿晶体管的栅极控制通过所述存储器单元的电流；其中：所述的隧穿晶体管结构包括至少一个源极、一个漏极和一个栅极；所述的栅极覆盖器件的沟道，且所述沟道与所述晶体管所处的半导体衬底表面垂直；并且，所述的沟道在一个方向上的宽度要比其在与所述方向的垂直方向上的宽度要宽，称前者为宽沟道，后者为窄沟道。