| 发明名称 | 新型SRAM单元阵列结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种静态随机存取存储器(SRAM)单元阵列结构，其包括耦合到SRAM单元一列的第一和第二位线，第一和第二位线基本彼此平行并且通过第一金属层形成，以及置于第一和第二位线之间的第一导线，其跨越SRAM单元的列并且不和所述列电连接，第一导线也通过第一金属层形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101572122B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN200910133932.2 | 申请日期 | 2009.04.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李政宏;吴经纬;廖宏仁 |
| 分类号 | G11C11/41(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/41(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 一种静态随机存取存储器(SRAM)单元阵列结构，包括：耦合到SRAM单元的一个列的第一和第二导线，所述第一和第二导线彼此平行并且通过第一金属层形成；以及置于所述第一和第二导线之间的第三导线，其跨越所述SRAM单元的列并且不与该列电连接，所述第三导线也通过第一金属层形成，其中所述第三导线上的电压在写操作期间从高压(VCC)摆动到低压(VSS)。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||