发明名称 | 擦除非易失性存储器件的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种擦除非易失性存储器件的方法。根据本发明的一个方面,对选择的存储区块执行擦除操作。预充电存储区块的位线,并且根据存储单元的擦除状态校验位线的电压电平的变化。根据第一位线的电压电平来对第一位线执行数据读取操作。根据第二位线的电压电平来对第二位线执行数据读取操作。对第二位线执行的数据读取操作是在对第一位线执行数据读取操作之后进行的。然后根据数据读取操作的结果确定擦除校验结果。 | ||
申请公布号 | CN101587751B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
申请号 | CN200810144071.3 | 申请日期 | 2008.07.31 |
申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 朴荣洙 |
分类号 | G11C16/14(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/14(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
主权项 | 一种擦除非易失性存储器件的方法,该方法包括:对选择的存储区块执行擦除操作;预充电所述存储区块的位线;根据所述存储区块的存储单元的擦除状态来校验所述位线的电压电平的变化;根据所述位线中的第一位线的电压电平来对所述第一位线执行数据读取操作;根据所述位线中的第二位线的电压电平来对所述第二位线执行数据读取操作,其中对所述第二位线执行的所述数据读取操作是在对所述第一位线执行所述数据读取操作之后进行的;根据所述第一和第二位线的数据读取操作的结果确定擦除校验结果;和在所述擦除校验结果没有通过的情况下,通过增大擦除电压来对所述存储区块执行擦除操作,并且执行擦除校验操作。 | ||
地址 | 韩国京畿道利川市 |