| 发明名称 | 氮化物类半导体发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能抑制制造工艺复杂化且能抑制发光效率降低的氮化物类半导体发光二极管及其制造方法。该氮化物类半导体发光二极管包括：基板，其在主表面上形成有凹部；和氮化物类半导体层，其在所述主表面上具有发光层，并且包含以所述凹部的一内侧面为起点而形成的由(000-1)面构成的第一侧面、和夹着所述发光层在与所述第一侧面相反侧的区域以所述凹部的另一内侧面为起点而形成的第二侧面。 | ||
| 申请公布号 | CN102545055A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201210073325.3 | 申请日期 | 2008.09.25 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 广山良治;三宅泰人;久纳康光;别所靖之;畑雅幸 |
| 分类号 | H01S5/323(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/323(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种氮化物类半导体发光二极管，其特征在于，包括：基板，其在主表面上形成有凹部；和氮化物类半导体层，其在所述主表面上具有发光层，并且包含以所述凹部的一内侧面为起点而形成的由(000‑1)面构成的第一侧面、和夹着所述发光层在与所述第一侧面相反侧的区域以所述凹部的另一内侧面为起点而形成的第二侧面。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||