| 发明名称 | SiC单晶的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种SiC单晶的制造方法。该方法包括：在石墨坩锅内的底部放置SiC籽晶；使包含Si、C和R(R是选自包含Sc和Y的稀土元素中的至少一种)或X(X是选自Al、Ge、Sn和不包括Sc和Y的过渡金属中的至少一种)的溶液存在于石墨坩埚中；将溶液过冷以使得SiC单晶在籽晶上生长；从石墨坩锅上方将粉末状或者粒状Si和/或SiC原料加入到溶液中，同时保持SiC单晶的生长。 | ||
| 申请公布号 | CN102534797A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201110463123.5 | 申请日期 | 2011.11.25 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 野村忠雄;山形则男;美浓轮武久 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李跃龙 |
| 主权项 | 一种制造SiC单晶的方法，包括：将SiC籽晶放置在石墨坩锅内的底部；使含有Si、C和R的溶液存在于石墨坩埚中，R是选自包含Sc和Y的稀土元素中的至少一种；将溶液过冷以使SiC单晶在籽晶上生长；并且从石墨坩锅上方将粉末状或粒状Si和/或SiC原料加入到溶液中，同时保持SiC单晶的生长。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||