| 发明名称 | 偏移量的生成方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种偏移量的生成方法和装置。该方法包括：根据第一实际位置和第一标准位置，生成顶点偏移量，所述第一实际位置为第一特征点的实际位置，所述第一标准位置为第一特征点的标准位置；根据摆放列数、第一实际位置、第二实际位置、所述第一标准位置和第二标准位置，生成横向偏移量，所述第二标准位置为第二特征点的标准位置，所述第二实际位置为第二特征点的实际位置；根据摆放行数、所述第一实际位置、所述第二实际位置、所述第一标准位置和所述第二标准位置，生成纵向偏移量；根据所述第一实际位置、所述第二实际位置、所述第一标准位置和所述第二标准位置，生成整体偏转角度。从而提高了晶片的镀膜效果。 | ||
| 申请公布号 | CN102534572A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010610648.2 | 申请日期 | 2010.12.17 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 易璨 |
| 分类号 | C23C16/52(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 张天舒;陈源 |
| 主权项 | 一种偏移量的生成方法，其特征在于，包括：根据第一实际位置和第一标准位置，生成顶点偏移量，所述第一实际位置为第一特征点的实际位置，所述第一标准位置为第一特征点的标准位置；根据摆放列数、第一实际位置、第二实际位置、所述第一标准位置和第二标准位置，生成横向偏移量，所述第二标准位置为第二特征点的标准位置，所述第二实际位置为第二特征点的实际位置；根据摆放行数、所述第一实际位置、所述第二实际位置、所述第一标准位置和所述第二标准位置，生成纵向偏移量；根据所述第一实际位置、所述第二实际位置、所述第一标准位置和所述第二标准位置，生成整体偏转角度。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层 | ||