| 发明名称 | 一种低温多晶硅TFT阵列基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种低温多晶硅TFT阵列基板的制造方法，涉及液晶显示器制造领域，通过使用半透式掩摸或灰色调掩摸工艺，有效减少了利用掩膜板曝光的次数，从而降低了工序复杂度，在缩短了加工时间的同时降低了加工成本。其方法为：在基板上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成栅金属层；利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板，对所述栅金属层、栅绝缘层、多晶硅层进行构图工艺处理，通过一次构图工艺得到包括栅电极和多晶硅半导体部分的图案。本发明实施例用于LTPS TFT-LCD制造。 | ||
| 申请公布号 | CN102543860A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010612965.8 | 申请日期 | 2010.12.29 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 袁广才;王刚 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种低温多晶硅TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成栅金属层；利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板，对所述栅金属层、栅绝缘层、多晶硅层进行构图工艺处理，通过一次构图工艺得到包括栅电极和多晶硅半导体部分的图案。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||