| 发明名称 |
薄框架三极管 |
| 摘要 |
本实用新型涉及一种薄框架三极管，该三极管的框架的引脚厚度为0.35-1.20mm，框架的本体厚度为0.35-1.20mm。该三极管框架的本体厚度小于传统三极管框架的本体厚度(一般为1.27mm-1.30mm)，从而可以节省成本。 |
| 申请公布号 |
CN202307873U |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
| 申请号 |
CN201120319179.9 |
申请日期 |
2011.08.29 |
| 申请人 |
胡时勇 |
发明人 |
胡时勇 |
| 分类号 |
H01L23/495(2006.01)I;H01L29/73(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/495(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种三极管，包括框架及焊接在框架上的芯片，其特征在于：所述框架的引脚厚度为0.35‑1.20mm，框架的本体厚度为0.35‑1.20mm。 |
| 地址 |
438700 湖北省英山县杨柳湾镇杨柳街道 |
