| 发明名称 | 制造碳化硅单晶的装置和方法 | ||
| 摘要 | 一种制造碳化硅单晶(20)的装置通过从籽晶的下面供应用于碳化硅的原料气体(3)来在由碳化硅单晶基片制成的籽晶(5)的表面上生长碳化硅单晶。该装置包括具有第一侧和与第一侧相反的第二侧的基部(9)。籽晶安装于基部的第一侧上。该装置还包括用于支撑基部并且用于从基部的第二侧将净化气体供应至基部的净化气体引入机构(11)。基部具有用于从基部朝着籽晶的外缘排出所供应净化气体的净化气体引入路径(94，95c)。 | ||
| 申请公布号 | CN102534795A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201110431747.9 | 申请日期 | 2011.12.16 |
| 申请人 | 株式会社电装 | 发明人 | 原一都;徳田雄一郎 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈珊;刘兴鹏 |
| 主权项 | 一种制造碳化硅单晶(20)的装置，通过从由碳化硅单晶基片制成的籽晶(5)的下面供应用于碳化硅的原料气体(3)来在籽晶的表面上生长碳化硅单晶，该装置包括：基部(9)，其具有第一侧和与第一侧相反的第二侧，籽晶安装于基部的第一侧上；以及净化气体引入机构(11)，其用于支撑基部并且用于从基部的第二侧将净化气体供应至基部，其中基部具有用于从基部朝着籽晶的外缘排出所供应净化气体的净化气体引入路径(94，95c)。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||