| 发明名称 | 高速锗硅异质结双极晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高速锗硅异质结双极晶体管的制造方法，其集电区的形成方法为：在三极管局部有源区打开后渐变深度的多次注入局部集电区N型杂质，然后通过快速热退火使多次注入的N型杂质连成一片，形成均匀的N型局部集电区杂质分布。该方法能有效降低集电区的总体电阻，有效的提高了高速三极管的截止频率，采用该方法制造的高速锗硅异质结双极晶体管成本低、且性能高。 | ||
| 申请公布号 | CN102543725A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010596088.X | 申请日期 | 2010.12.20 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈帆;陈雄斌 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种高速锗硅异质结双极晶体管的制造方法，包括形成集电区、基区和发射区；其特征在于，其集电区的形成方法为：在三极管局部有源区打开后渐变深度的多次注入局部集电区N型杂质，然后通过快速热退火使多次注入的N型杂质连成一片，形成均匀的N型局部集电区杂质分布。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||