| 发明名称 | 一种横向结构的PIN太阳能电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种横向结构的PIN太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。横向结构的PIN太阳能电池设有p型(或n型)半导体层，p型(或n型)半导体层上设有凹槽，在凹槽内依次形成本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层，在本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层上再分别蒸镀上电极和减反膜，在p型(或n型)半导体层底部蒸镀背电极。背电极的底部设有衬底。制备方法包括晶体硅等体材料太阳能电池和非晶硅等薄膜太阳能电池。提高晶体硅、非晶硅等半导体太阳能电池的转换效率，并有效降低其材料成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102544184A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201210073365.8 | 申请日期 | 2012.03.19 |
| 申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 刘宝林;张玲;朱丽虹 |
| 分类号 | H01L31/075(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/075(2012.01)I |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人 | 马应森 |
| 主权项 | 一种横向结构的PIN太阳能电池，其特征在于设有：p型半导体层，所述p型半导体层上设有凹槽，在凹槽内依次形成本征半导体层(i层)和n型半导体层，在本征半导体层(i层)和n型半导体层上再分别蒸镀上电极和减反膜，在p型半导体层底部蒸镀背电极；或设有n型半导体层，所述n型半导体层上设有凹槽，在凹槽内依次形成本征半导体层(i层)和p型半导体层，在本征半导体层(i层)和p型半导体层上再分别蒸镀上电极和减反膜，在n型半导体层底部蒸镀背电极。 | ||
| 地址 | 361005 福建省厦门市思明南路422号 | ||