有效提高外量子效率的深紫外发光二极管及其制备方法

摘要

有效提高外量子效率的深紫外发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。深紫外发光二极管设有衬底，在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层，在p-GaN盖层上沉积铝膜层，在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。在衬底上生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层；采用ICP技术刻蚀出n型台面，并通过光刻、真空电子束蒸发沉积及快速热退火处理技术分别形成p型、n型的欧姆接触；在p-GaN盖层上沉积铝膜层；在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。

主权项

有效提高外量子效率的深紫外发光二极管，其特征在于设有衬底，在衬底上依次生长AlN缓冲层、n‑AlGaN层、有源层、p‑AlGaN层和p‑GaN盖层，在p‑GaN盖层上沉积铝膜层，在n‑AlGaN层上设n型电极，在p‑GaN盖层上设p型电极。