| 发明名称 | 投影式光刻机三维掩模曝光方法 | ||
| 摘要 | 一种投影式光刻机的三维掩模曝光方法，具有下述步骤：(1)根据工件上需要加工的图案，加工三维掩模，该三维掩模具有包括倾斜部分与非倾斜部分，且该倾斜部分与非倾斜部分形成有需要曝光的掩模图案；(2)上载该三维掩模，上载该工件；(3)全局对准；(4)在该工件上整场曝光该掩模图案。 | ||
| 申请公布号 | CN102540747A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010606314.8 | 申请日期 | 2010.12.22 |
| 申请人 | 上海微电子装备有限公司 | 发明人 | 张俊;陈勇辉;杨志勇 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F1/00(2012.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人 | 王光辉 |
| 主权项 | 一种投影式光刻机的三维掩模曝光方法，具有如下步骤：(1)根据工件上需要加工的图案，加工三维掩模，该三维掩模具有包括倾斜部分与非倾斜部分，且该倾斜部分与非倾斜部分形成有需要曝光的掩模图案；(2)上载该三维掩模，上载该工件；(3)全局对准；(4)在该工件上整场曝光该掩模图案。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东区张江高科技园区张东路1525号 | ||