自对准阻挡层形成方法

摘要

本发明涉及一种自对准阻挡层形成方法。本发明的自对准阻挡层形成过程中，在执行快速热退火工艺前沉积第一自对准阻挡层，在快速热退火工艺后沉积第二自对准阻挡层，从而，使得形成的第一自对准阻挡层和第二自对准阻挡层总自对准阻挡层相较于现有工艺变得疏松了。由此，后续进行刻蚀工艺时能将侧墙的自对准阻挡层完全刻蚀去除，提高MOS晶体管产品的可靠性。

主权项

一种自对准阻挡层形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的侧墙，所述半导体衬底中形成有无需自对准的器件；执行离子注入工艺，以在所述侧墙两侧的半导体衬底中形成源极和漏极；在所述半导体衬底、栅极结构以及侧墙表面形成第一自对准阻挡层；执行快速热退火工艺；在所述第一自对准阻挡层表面形成第二自对准阻挡层；在无需自对准的器件上方的第二自对准阻挡层表面形成掩膜层；刻蚀第一自对准阻挡层和第二自对准阻挡层。