发明名称 高分子基导电复合材料及PTC元件
摘要 本发明涉及一种高分子基导电复合材料及PTC元件,所述高分子基导电复合材料包含:高分子基材体积分数为20%-75%;导电填料的体积分数为25%-80%,具有核壳式颗粒结构,分散于所述高分子基材中的;偶联剂为钛酸酯偶联剂,占所述导电填料体积的0.1%~5%。本发明还提供利用所述高分子基导电复合材料制备的PTC元件,包含至少两个金属电极片,高分子基导电复合材料与所述金属电极片之间紧密结合。由该高分子基导电复合材料制备的PTC元件具有低室温电阻率、突出的耐候性能,良好的耐电压性能和电阻再现性。
申请公布号 CN102543331A 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN201110458800.4 申请日期 2011.12.31
申请人 上海长园维安电子线路保护有限公司 发明人 杨铨铨;刘正平;方勇;刘玉堂;刘利锋;王炜;高道华;龚炫;王军
分类号 H01C7/02(2006.01)I;H01C17/07(2006.01)I 主分类号 H01C7/02(2006.01)I
代理机构 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 代理人 董梅
主权项 一种高分子基导电复合材料,包含高分子基材、导电填料和偶联剂,其特征在于:(a)所述高分子基材为聚乙烯、聚丙烯、聚偏氟乙烯、聚烯烃弹性体、环氧树脂、乙烯‑醋酸乙烯共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯、乙烯‑丙烯酸共聚物中的一种及其混合物,占所述高分子基导电复合材料的体积分数的20%~75%;(b)导电填料,具有核壳式颗粒结构,占所述高分子基导电复合材料的体积分数的25%~80%,其粒径为0.1μm~20μm,且体积电阻率小于10‑2Ω.m,所述导电填料分散于所述高分子基材中;(c)偶联剂占导电填料体积的0.05%~5%,所述偶联剂为钛酸酯偶联剂,为单烷氧基型钛酸酯偶联剂、单烷氧基焦磷酸酯型钛酸酯偶联剂、螫合型钛酸酯偶联剂、配位型钛酸酯偶联剂、季铵盐型钛酸酯偶联剂中的一种或多种的混合物。
地址 201202 上海市浦东新区施湾七路1001号