N型双面电池的双面扩散方法

摘要

本发明涉及一种N型双面电池的双面扩散方法，该方法首先在N型硅衬底的上表面通过第一次扩散工艺在N型硅衬底的一面形成n+层或p+层后，然后通过LPCVD双面沉积SiN薄膜；接着在已经形成扩散层的上表面通过PECVD的方法单面沉积SiO2薄膜；之后利用热磷酸去除下表面的SiN薄膜；接着对硅片进行清洗后完成对下表面的扩散。本发明利用高致密度的LPCVD SiN作为扩散阻挡层实现N型电池的双面扩散，避免了传统工艺中采用热氧化SiO2薄膜作为扩散阻挡层时所经历的高温过程，保证一次扩散曲线及硅衬底的杂质浓度不变，实现了N型双面电池良好的电接触性能，并有效降低电池的体复合速率。

主权项

一种N型双面电池的双面扩散方法，N型硅衬底的两面通过两次扩散，在N型硅衬底的两面分别形成n+层和p+层，其特征是：在N型硅衬底的上表面通过第一次扩散工艺在N型硅衬底的一面形成n+层或p+层后，通过LPCVD双面沉积SiN薄膜；接着在已经形成扩散层的上表面通过PECVD的方法单面沉积SiO2薄膜；之后利用热磷酸对SiN、SiO2进行薄膜选择性刻蚀，去除下表面的SiN薄膜；接着对硅片进行清洗后完成对下表面的扩散。