具有通触点的半导体器件及相关的制造方法

摘要

本发明涉及具有通触点的半导体器件及相关的制造方法，特别涉及一种半导体器件结构的设备及相关的制造方法。制造半导体器件结构的一种方法涉及形成覆盖形成在半导体基板中相邻栅极结构的掺杂区域的一层电介质材料并在所述层的电介质材料中形成导电触点。导电触点覆盖并电连接掺杂区域。所述方法通过形成覆盖导电触点的第二层的电介质材料、在覆盖导电触点的第二层中形成空隙区域、形成覆盖空隙区域的第三层的电介质材料、以及在第三层中形成覆盖第二层中的空隙区域的至少一部分的另一空隙区域来继续。所述方法通过形成填补这两个空隙区域以接触导电触点的导电材料来继续。

主权项

一种制造包括覆盖半导体基板的栅极结构及形成在所述的半导体基板中相邻所述的栅极结构的掺杂区域的器件的方法，所述方法包含：形成覆盖所述的掺杂区域的第一层的电介质材料；在所述的第一层的电介质材料中形成导电触点，所述导电触点覆盖并电连接所述的掺杂区域；形成覆盖所述的栅极结构、所述的导电触点、及所述的第一层的电介质材料的第二层的电介质材料；在覆盖所述的导电触点的所述第二层中形成第一空隙区域；形成覆盖所述的第二层的第三层的电介质材料；在所述第三层中形成第二空隙区域，所述第二空隙区域的至少一部分覆盖所述第一空隙区域的至少一部分；以及在所述的第二空隙区域中形成导电材料，所述的导电材料填补所述的第一空隙区域以接触所述的导电触点。