用于在半导体工艺中检测电荷效应的测试结构与方法

摘要

一种半导体工艺测试结构，其包括电极、电荷捕捉层以及扩散区域。此测试结构为一类电容结构，其中电荷捕捉层会捕捉在不同工艺步骤中所产生的电荷。可接着使用栅极诱发漏极漏电流(GIDL)测量技术以标准化此测试结构的充电状态。

主权项

一种形成于半导体衬底上以测量从半导体工艺步骤中所产生的充电状态的测试结构，其包括：衬底；扩散区域，其形成于所述衬底中；栅极，其位于所述衬底与所述扩散区域之上；以及电荷捕捉层，其位于所述栅极与所述衬底与所述扩散区域之间，所述电荷捕捉层作为累积在半导体工艺步骤中所产生电荷的结构，其中所述扩散区域与所述栅极经过金属化。