凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法

摘要

本发明公开了一种凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法。凹陷型的沟道结构使得晶体管在减小漏电流的同时增大了驱动电流，也就是在降低芯片功耗的同时提高了芯片的性能。采用本发明的凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法，工艺过程简单，效率高，降低了生产成本。

主权项

一种凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法，其特征在于具体步骤为：提供一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；进行离子注入，在提供的半导体衬底内形成第一种掺杂类型的区域；在经上步处理的半导体衬底上淀积形成第一种绝缘薄膜；通过光刻，将所述第一种绝缘薄膜和第一种掺杂类型的区域刻蚀掉，露出进行后续掺杂的半导体衬底区域；在上步形成的结构上，淀积形成第二种绝缘薄膜；然后进行各向异性刻蚀，形成由第二种绝缘薄膜构成的侧墙；在上步形成的结构上，直接进行扩散，形成第二种掺杂类型的区域；在上步行成的结构上淀积形成第三种绝缘薄膜；通过自对准方法刻蚀形成器件的凹陷沟道区域；该凹陷沟道为U型；在该步骤中，上述侧墙被完全刻蚀掉；在上步行成的结构上形成第四种绝缘薄膜；在上步行成的结构上淀积形成第一种导电薄膜；刻蚀形成器件的栅极结构，即通过光刻，刻蚀掉未被保护的第一种导电薄膜作为栅极，刻蚀出条状结构；该栅极位于凹陷沟道上方；剥除剩余的第一种、第三种绝缘薄膜；在上步行成的结构上淀积形成第五种绝缘薄膜，并对所述第五种绝缘薄膜进行刻蚀形成通孔结构；即在栅极上方开孔，形成栅极接触孔，在栅极两侧的第一种掺杂区域和第二种掺杂区域分别开孔，形成源极和漏极的接触孔；淀积第二种导电薄膜形成电极。