一种利用ZnO纳米锥阵列提高LED发光效率的方法

摘要

本发明公开了一种利用ZnO纳米锥提高LED发光效率的方法，包括以下步骤：(1)在衬底上依次外延生长N型接触层、多量子阱有源区和P型接触层；(2)在外延片蒸镀一层ITO电流扩展层；(3)制作P电极和N电极同面的未解离的LED；(4)用光刻胶做图形掩膜，保护电极和切割道；(5)用磁控溅射仪溅射一层致密结晶性好的ZnO种子层；(6)水热法生长ZnO纳米锥阵列；(7)用去胶液去胶，露出电极；(8)解离成单个管芯，制作成器件。本发明由于采用图形掩膜，只在LED的ITO出光面生长ZnO纳米锥阵列，不会对LED管芯的电学性能造成破坏，能够明显提高LED的发光效率，其中有ZnO纳米锥阵列的GaN基LED的发光效率几乎可以提高100％。

主权项

一种利用ZnO纳米锥提高LED发光效率的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)应用金属有机化学气相沉积的方法在衬底上依次外延生长N型接触层、多量子阱有源区和P型接触层，形成外延片；(2)在外延片表面的P型接触层上蒸镀一层ITO电流扩展层；(3)在外延片的同一面制作P电极和N电极，形成未解离的LED，P电极制作在ITO电流扩展层上，N电极制作在N型接触层上，P电极和N电极处于外延片的同一面；(4)用光刻胶做图形掩膜，覆盖并保护电极和切割道，切割道是指未解离LED管芯之间相连的N型接触层区域；(5)在ITO电流扩展层上溅射一层致密结晶性好的ZnO种子层；(6)采用水热法生长ZnO纳米锥阵列，将溅射ZnO种子层后的未解离的LED置入锌源前躯体溶液的水热反应釜中反应1小时‑‑12小时，水温50℃‑‑100℃，然后降至室温，取出后用去离子水冲洗，用氮气吹干，即得到ZnO纳米锥阵列；(7)用去胶液去除光刻胶，露出电极，用去离子水冲洗，用氮气吹干；(8)解离成单个管芯，制作成器件。