一种Pd-Ni/SiNWs阵列电极葡萄糖传感器及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种Pd-Ni/SiNWs阵列电极葡萄糖传感器，其包括硅衬底材料、基底SiNWs阵列材料层、金属Pd-Ni纳米颗粒镀层、铜导线和环氧树脂保护层；所述基底SiNWs阵列材料是生长在硅衬底材料上，金属Pd-Ni纳米颗粒镀层设置在基底SiNWs阵列材料层上，铜导线设置在金属Pd-Ni纳米颗粒镀层上，环氧树脂保护层包裹在铜导线和金属Pd-Ni纳米颗粒镀层接触部分。本发明还公开Pd-Ni/SiNWs阵列电极葡萄糖传感器的制备方法及应用。本发明结构体积小、表面积大、活性高，具有高灵敏度和抗干扰性，具有广泛的适用性。

主权项

一种Pd‑Ni/SiNWs阵列电极葡萄糖传感器，其特征在于，包括硅衬底材料、基底SiNWs阵列材料层、金属Pd‑Ni纳米颗粒镀层、铜导线及环氧树脂保护层；所述基底SiNWs阵列材料是生长在硅衬底材料上，所述金属Pd‑Ni纳米颗粒镀层设置在基底SiNWs阵列材料层上，所述铜导线设置在金属Pd‑Ni纳米颗粒镀层上，环氧树脂保护层包裹在铜导线和金属Pd‑Ni纳米颗粒镀层的接触部分。