一种消除铜互连结构中铜凸起缺陷的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种消除铜互连结构中铜凸起缺陷的方法。本发明一种消除铜互连结构中铜凸起缺陷的方法，通过采用高应力刻蚀阻挡层覆盖铜导线，由于高应力刻蚀阻挡层相当于原先的低应力刻蚀阻挡层具有较高的压应力以及较大的密度，能够较好的抑制铜导线在受热过程中由于膨胀而产生的铜凸起缺陷。

主权项

一种消除铜互连结构中铜凸起缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一基体上依次沉积介质阻挡层、层间介质层和介电质抗反射层；步骤S2：光刻、刻蚀介电质抗反射层和层间介质层至介质阻挡层，去除剩余介电质抗反射层后，形成嵌入层间介质层的沟槽；步骤S3：电镀铜充满沟槽，并进行化学机械研磨平坦化后形成铜导线；步骤S4：沉积高应力刻蚀阻挡层覆盖铜导线和剩余层间介质层的上表面。