| 发明名称 | 一种嵌入式闪存及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种嵌入式闪存及其制造方法，所述嵌入式闪存包括闪存单元和外围金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET单元，闪存单元为两层多晶硅栅结构，其侧壁上具有绝缘的隔离物；外围MOSFET单元为单层多晶硅栅结构，其侧壁上也具有绝缘的隔离物，本发明利用侧壁隔离物沉积和各向异性蚀刻，使得闪存单元的侧壁隔离物的宽度大于外围晶体管单元的侧壁隔离物的宽度，从而可以使闪存单元和外围晶体管单元同时达到较好的特性，提高了嵌入式内存的整体性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102544004A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010580478.8 | 申请日期 | 2010.12.09 |
| 申请人 | 和舰科技（苏州）有限公司 | 发明人 | 王政烈;夏洪旭;张进刚;曾令旭 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人 | 王光辉 |
| 主权项 | 一种嵌入式闪存，包括闪存单元和外围金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET单元，闪存单元为两层多晶硅栅结构，其侧壁上具有绝缘的隔离物；外围MOSFET单元为单层多晶硅栅结构，其侧壁上也具有绝缘的隔离物，其特征在于，闪存单元的侧壁隔离物的宽度大于外围MOSFET单元的侧壁隔离物的宽度。 | ||
| 地址 | 215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 | ||