| 发明名称 | 离子扩散法改性钨酸铅晶体的工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种离子扩散法改性钨酸铅晶体的工艺，包括以下步骤：1)以PbO粉末和WO3粉末为原料，按照n(PbO)∶n(WO3)＝1∶1摩尔比精确配料，利用坩埚下降法或提拉法生长钨酸铅晶体；2)将生成的钨酸铅晶体经X射线定向仪精确定向、切割、研磨成厚度为2～5mm规格的钨酸铅晶片，清洗后得到纯钨酸铅晶体样品；3)将步骤(2)得到的纯钨酸铅晶体样品放入装有金属氧化物粉末的坩埚中，使纯钨酸铅晶体样品被金属氧化物粉末严实包裹，然后将坩埚放入马弗炉中，升温至800～1000℃，保温12～36h后扩散结束，然后降温至室温，得到改性的钨酸铅晶体。本发明具有低能耗、高效率的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN102534802A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201110425979.3 | 申请日期 | 2011.12.16 |
| 申请人 | 温州大学 | 发明人 | 向卫东;邵明国;梁晓娟;黄海宇;陈兆平 |
| 分类号 | C30B31/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B31/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人 | 黄美娟;俞慧 |
| 主权项 | 离子扩散法改性钨酸铅晶体的工艺，包括以下步骤：1)以PbO粉末和WO3粉末为原料，按照n(PbO)∶n(WO3)＝1∶1摩尔比精确配料，利用坩埚下降法或提拉法生长钨酸铅晶体；2)将生成的钨酸铅晶体经X射线定向仪精确定向、切割、研磨成厚度为2～5mm规格的钨酸铅晶片，清洗后得到纯钨酸铅晶体样品；3)将步骤(2)得到的纯钨酸铅晶体样品放入装有金属氧化物粉末的坩埚中，使纯钨酸铅晶体样品被金属氧化物粉末严实包裹，然后将坩埚放入马弗炉中，升温至800～1000℃，保温12～36h后扩散结束，然后降温至室温，得到改性的钨酸铅晶体。 | ||
| 地址 | 325035 浙江省温州市茶山镇高教园区 | ||