硅片上被对准层图形的形成方法

摘要

本发明公开了一种硅片上被对准层图形的形成方法，与现有方法相比，省略了第二次光刻和刻蚀的步骤，而是采用对硅片进行低温预处理的方式，增强了被对准层图形的套刻标记的图形信号对比度，从而可以更容易、更清晰地被辨认出来。

主权项

一种硅片上被对准层图形的形成方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，在衬底上淀积一层第一介质层；第2步，采用光刻和刻蚀工艺在衬底上刻蚀出沟槽，刻蚀完成后去除光刻胶，并在沟槽的底部和侧壁生长一层衬垫氧化层；所述沟槽作为硅片上这一层图形的套刻标记；第3步，在硅片表面淀积一层第二介质层，至少将所述沟槽填充满；第4步，采用直接化学机械研磨工艺研磨所述第二介质层，直至所述第二介质层与所述第一介质层的上表面齐平。此时只有所述沟槽中填充有所述第二介质层；第5步，用湿法腐蚀工艺去除所述第一介质层；第6步，对硅片进行低温预处理；第7步，先对硅片进行预处理，例如进行1045～1055℃的预烘。再在硅片表面淀积一层第三介质层，所述第三介质层作为硅片上新的一层被对准层图形的材料；此时所述第三介质层的上表面在所述沟槽对应的部位出现下凹的台阶作为被对准层图形的套刻标记；第8步，在硅片表面旋涂光刻胶，采用光刻工艺形成新的一层光刻图形。